NFC國立交通大學奈米中心儀器設備

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    介 電 材 料 活 性 離 子 蝕 刻 系 統 (二)

       

                update:2017/07/05

中文名稱

電材料活性離子蝕刻系統(二)

英文名稱

Dielectric Material RIE 200L

儀器廠牌型號

日本SamCo公司製造 RIE200L

購置年限

2002年12月1日

功能

蝕刻二氧化矽、氮化矽及未經後段製程之High-K(ALD,MOCVD)等材料

放置地點

固態電子系統大樓 1樓116實驗室  (TEL:55666 機台狀況 & 平均等待交件時間

重要規格

RF產生器最大可輸出300W,頻率13.56MHz,本蝕刻系統可通入CF4O2SF6CHF3等氣體蝕刻二氧化矽、氮化矽等材料。(試片上不得有摻雜及金屬材料)

開放等級

開放人數

機台開放等級/開放人數 開放使用時間 [enter]
取樣應注意事項

1. 本機台限Si、四族、三五族、二六族及石英等基板,請詳細說明基底晶片材質,其上含何種物

    質(如SiO2、Si3N4、Metal、光阻等),以及是否要清洗晶片。

2. 蝕刻若無特別要求,一律按中心標準製程為之,即:

           (1).SiOx : (RIE mode) 300 ~400 Å/min  100W,4Pa.

           (2).SiNx : (RIE mode) 900~1000 Å/min   100W,4Pa.

3.未製作過之High K材料需加測蝕刻率。

聯絡人

1.儀器設備管理人員胡進章 先生 (TEL:03-5712121-55607, 55666)

2.儀器設備管理人員陳明麗 小姐 (TEL:03-5712121-55660, 55666)

3.儀器管理委員崔秉鉞 教授 (TEL:03-5712121-31570)

儀器操作預約

科技部貴重儀器資訊管理系統預約[Enter]

委託代工

申請表格

使用申請表

操作規範與

考核記錄表

操作規範

考核記錄表

自行操作

申請方式

白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)

24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)

注意事項 (務必詳讀,以免損失自身權益)

收費標準

(貴儀核可項目,有貴儀帳號者請上網預約,無貴儀帳號者請現金付費)

收費方式:

自行操作:收取開機費+製作費

委託操作:收取開機費+製作費+代工費

此收費標準於104/4/1開始實施

  學校單位 研究單位 營利事業單位

代工費

900元/2小時 900元/2小時 900元/2小時

開機費(元)

2300

2300

2600

製作費電蝕刻(SiO2,SiNx,High K)

2300

2300

2600

申訴電話及信箱 徐忠璇小姐  TEL:03-5712121轉31534、31248,03-5131534,

賴卓君小姐  TEL:03-5712121轉31775,03-5731775,

中心專線電話: TEL:03-6116690