NFC國立交通大學奈米中心儀器設備

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    晶 矽 活 性 離 子 蝕 刻 系 統

       

                update:2017/07/05

中文名稱 複晶矽活性離子蝕刻系統 英文名稱

Polysilicon  Reactive Ion Etching (Poly-Si RIE)

儀器廠牌型號 日本SAMCO公司製程 RIE-10N 購置年限 1995年9月

功能

蝕刻複晶矽、單晶矽等材料
(試片不得含有
摻雜及金屬)

放置地點

固態電子系統大樓 1樓116實驗室   (TEL:55666 機台狀況& 平均等待交件時間

重要規格

1.包含兩個真空邦浦、一個真空室,可選擇以手動自動模式操作。

2.RF產生器最大可輸出300瓦,頻率13.56MHz,本蝕刻系統有活性離子蝕刻(有方向性)可供選擇,真空室用途分述如下:
  真空室:可進入CF4、PO2、SF6、CHF3等氣體蝕刻複晶矽、單晶矽等材料

開放等級

開放人數

機台開放等級/開放人數 開放使用時間 [enter]
聯絡人

1.儀器設備管理人員胡進章 先生 (TEL:03-5712121-55607, 55666)

2.儀器設備管理人員陳明麗 小姐 (TEL:03-5712121-55660, 55666)

3.儀器管理委員陳冠能 教授 (TEL:03-5712121-31558)

儀器操作預約

科技部貴重儀器資訊管理系統預約[Enter]

委託代工

申請表格

使用申請表

操作規範與

考核記錄表

操作規範

考核記錄表

自行操作

申請方式

白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)

24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)

注意事項 (務必詳讀,以免損失自身權益)

收費標準

(貴儀核可項目,有貴儀帳號者請上網預約,無貴儀帳號者請現金付費)

收費方式:

自行操作:收取開機費+製作

委託操作:收取開機費+製作+代工費

此收費標準於99/1/1開始實施

  學校單位 研究單位 營利事業單位

代工費

900元/2小時 900元/2小時 900元/2小時

開機費(元)

1600

1600

2200

製作費(Poly Si蝕刻)

1600

1600

2200

申訴電話及信箱 徐忠璇小姐  TEL:03-5712121轉31534、31248,03-5131534,

賴卓君小姐  TEL:03-5712121轉31775,03-5731775,

中心專線電話: TEL:03-6116690