NFC國立交通大學奈米中心儀器設備

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    低  壓  化  學  氣  相  沉  積  系  統

    update:2017/07/04

中文名稱 低壓化學氣相沉積系統

英文名稱

Low Pressure Chemical Vapor Deposition System (LPCVD)

儀器廠牌型號

SJ-10301001-1

購置年限

2014年12月28日

放置地點

固態電子系統大樓 1樓127實驗室 (TEL:55616 機台狀況& 平均等待交件時間

重要規格

1.腔體(chamber)6",均溫區長度600mm

2.真空:5*10-3 Torr

3.溫度:POLY-Si-620°CSi3N4-800°CTEOS-700°C

服務項目

1.複晶矽及非複晶矽的沈積(poly-Si & amorphous-Si)

   溫度:620°C/550°C

   氣體:SiH4

      壓力:40mtorr

2.複晶矽沉積摻雜磷化氫(Poly-Si in-situ PH3)

   溫度:620°C

   氣體:SiH4PH3

   壓力:60mtorr

3.氮化矽的沈積(Si3N4)

   溫度:800°C/850°C

   氣體:SiH2Cl2NH3

   壓力:80mtorr/50mtorr

4.TEOS的沈積

溫度:700°C

氣體:TEOS

壓力:70mtorr

開放等級

開放人數

機台開放等級/開放人數

開放使用時間 [enter]
聯絡人

1.儀器設備管理人員賴玟  先生  (TEL:03-5712121-55606、55616)

2.儀器管理委員劉柏村  (TEL:03-5712121-52994)

儀器操作預約

科技部貴重儀器資訊管理系統預約[Enter]

委託代工

申請表格

使用申請表

操作規範與

考核記錄表

操作規範

考核記錄表

自行操作

申請方式

需已擁有Wet Bench使用權限才可申請 LPCVD系統

白天權限申請流程說明 (使用權限為星期一至五8:00~17:00)

24小時申請流程說明 (需有白天權限才可申請)

注意事項 (務必詳讀,以免損失自身權益)

收費標準

(貴儀核可項目,有貴儀帳號者請上網預約,無貴儀帳號者請現金付費)

此收費標準於104/05/01開始實施

    學校單位 研究單位 營利事業單位
  代工費 900元/次 900元/次 900元/次
A Poly-Si開機費 1000元/次 1500元/次 2000元/次
Poly-Si(SiH4製程in-situ PH3製程)製作費 100元/分 100元/分 100元/分
B Poly-Si開機費 1000元/次 1500元/次 2000元/次
Poly-Si(SiH4製程)製作費 100元/分 100元/分 100元/分
C Si3N4開機費 1000元/次 1500元/次 2000元/次
Si3N4(low stress 溫度850°C) 240元/分 240元/分 240元/分
Si3N4(一般製程溫度800°C) 140元/分 140元/分 140元/分
D TEOS開機費 1000元/次 1500元/次 2000元/次
TEOS製作費 100元/分 100元/分 100元/分
申訴電話及信箱 徐忠璇小姐  TEL:03-5712121轉31534、31248,03-5131534,

賴卓君小姐  TEL:03-5712121轉31775,03-5731775,

中心專線電話: TEL:03-6116690