奈米中心公告

公告日期:97年9月12日

一、考量各儀器設備之複雜度及實際使用狀況,即日起調整

申請24小時自行操作之資格如下:

各儀器設備申請24小時自行操作實作次數  

(NFC)交通大學奈米中心

器設備名稱

三個月內累

積實作次數

1. 濕式工作台(Wet Bench

3

2. 光罩對準曝光機與光阻處理系統(黃光)

5

3. 紅外線光罩對準曝光機(雙面對準儀)IR Aligner

5

4. 紫外光臭氧去光阻機(UV Ozone)

5

5.氧化擴散系統(爐管)

3

6. 低壓化學氣相沉積系統(LPCVD

5

7. 電漿輔助化學沉積系統(PECVDPD220

5

8. 熱阻絲蒸鍍系統Thermal Evaporation Coater

3

9. 雙電子鎗蒸鍍系統Dual E-Gun Evaporation System

5

10.真空濺鍍系統Sputter System A

4

11.真空濺鍍系統Sputter System B

4

12.導電性材料活性離子蝕刻機(POLY-RIE

5

13.導電性材料活性離子蝕刻機(HDP-RIE

5

14.介電性材料活性離子蝕刻機(RIE200L

5

15.多腔體電漿蝕刻系統(P5000E)

5

16.光學步進曝光機(I-line Stepper)

5

17.原子層沈積系統(ALD)

5

18.橢圓測試儀

5

其它單位進駐固態大樓潔淨室之儀器設備,比照上列同類型設備辦理

 

(NDL)財團法人國家奈米元件實驗室

器設備名稱

三個月內累

積實作次數

集結式電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD)

5次以上

高溫及低壓水平爐管

3次以上

 

                              奈米中心主任   崔秉鉞