奈米中心公告

公告:放寬對Hf-based high-k dielectric的製程管制。

                                                               日期:95.05.05

說明:

1          Hf-based high-k是未來最可能取代SiO2作為MOSFET閘極介電質的材料,近年之研究已認為Hf不會對MOS製程造成污染。考慮Hf-based dielectrics是應用在污染標準遠高於本校奈米中心的工業界45奈米以下之量產製程,經全體儀器專家書面簽核同意,即日起放寬對Hf-based dielectrisc的製程限制。

2          調整後之製程限制如下:

2.1        無污染疑慮之HfO2以及添加Si, N, F三種元素之薄膜,可進入一樓之高溫爐管系統、LPCVD系統、電漿沈積系統、電漿蝕刻系統。

2.2        添加Al, Ta, Ti, La等金屬元素之Hf-based dielectrics,可進入一樓之高溫爐管系統、LPCVD系統、電漿沈積系統,但不可進入供前段製程用之電漿蝕刻系統。

2.3        微影、wet bench等系統不受限制。

2.4        2.12.2項所謂無污染疑慮之Hf-based dielectric係指在工研院電光所之ALD系統或NDLMOCVD系統沈積之薄膜。

2.5   其它沈積機台是否有污染性,需個別認定。

               奈米中心主任  黃遠東

                          中華民國9555